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jeehwan金

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房间 38-276

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77马萨诸塞大道

马萨诸塞州剑桥市02139

教育

  • MSE

    加州大学洛杉矶分校

    博士
  • MSE

    首尔国立大学

    女士。
  • MSE

    弘益大学

    理学士

研究兴趣

  • 神经形态计算

    - 基于1R-ANN阵列的在线培训/推理 

    - 基于单晶的ReRAM人工突触 

  • 远程外延,基于石墨烯的层转移

    - III-V / III-N microleds

    - 基于独立的InGaAs红外photodectors 

    - 独立于磁电耦合的多功能复合氧化物 

    - 碳化硅/ IIII-n的电力电子 

  • 可再生能源,能源存储

    - 基于远程外延为砷化镓太阳能电池晶片的回收技术 

    - 基于远程外延高效率的III-V多结太阳能电池 

    - 单晶全固态电池 

  • heterointegration,柔性电子

    - 皮肤应变传感器阵列 

    - 柔性/透明microleds

    - 自供电系统IOT

  • 二维材料

    - 单层由单层的晶片规模2D材料分割

    - 晶片规模单晶2D材料

      - 晶片规模2d中的异质结构

荣誉奖励+

  • sense.纳米种子批,2020
  • DARPA青年教师奖,2019
  • 我们。能源太阳能技术办公室的财年2018资助计划的部门,2018
  • IBM教师奖2016
  • LAM研究基金奖,2015年在2016年
  • 主发明家 IBM公司,2012年
  • 25个发明成果奖,2008 - 2015年的ibm
  • 15个高价值专利奖,2008 - 2015年的IBM

教学

2。001力学和材料

2。674微米/纳米工程实验室

2。671仪器和测量

出版物

  • 选择的出版物
  • 1。 jaewoo垫片†,相勋培†,孔维†,doyoon李†,宽Qiao等,和 jeehwan金*,“受控裂纹扩展为晶片规模二维材料的原子精度处理” 科学 (2018)
  • 2。孔维†,花山里†,宽巧†,yunjo金,kyusang李,凡聂,doyoon Lee等。,杰弗里℃。格罗斯曼*和 jeehwan金*“极性通过二维材料支配原子的相互作用”, 自然材料 (2018)
  • 3。 秒。彩,S。棕褐色,Z。李,Y。金,C。财,P-Y臣,S。玉和 jeehwan金*“SiGe外延存储器用于基于工程位错可再现的高性能神经形态运算”, 自然材料 (2018) 
  • 4。 年。金,S。秒。克鲁兹,K。李,B。 O操作。 alawode,C。财,Y。歌曲,J。米约翰逊,C。海德堡,W上。香港,S。财,K。巧,E。一种。菲茨杰拉德,J。香港一个。米kolpak,J。黄某和 jeehwan金*“远程外延石墨烯通过:底层基板上范德华外延作用” 性质卷。 544,340-343(2017) 特色作为封面
  • 5。 S.-H.培,X。周,S。金,Y。秒。李,S。克鲁兹,Y。金,J。湾汉农,Y。杨天。 ķ。 Sadana表示,F.S米。罗斯小时。公园,和 jeehwan金*,“揭开在用于形成晶片规模,单域石墨烯外延石墨烯的载流子传输机制,” 科学的美国国家科学院院刊卷。 114,4082-4086(2017)
  • 6。 jeehwan金*,可以拜拉姆*,hongsik公园,成伟成,克里斯托dimitrakopoulos,约翰·奥特,凯瑟琳路透社,斯蒂芬·比德尔和德文德拉Sadana表示,“在外延石墨烯单晶薄膜的直接范德华外延的原则”,  自然通讯卷。 5,4836(2014)
  • 7。 jeehwan金*,hongsik公园*,詹姆斯湾汉农,斯蒂芬·W上。比德尔,基思福格尔,德文德拉ķ。 Sadana表示,克里斯托dimitrakopoulos *“通过工程改造的应变层层分辨石墨烯转移”,  科学卷。 342,833(2013)

专利

  • 选择美国专利
  • 1。 授予#我们光伏器件9153729原子层沉积
  • 2。 授予#我们9123842具有改进阻挡层感光体
  • 3。 授予#我们9123838透明导电性电极为三维光电器件
  • 4。 授予#我们9105854转让透明导电氧化物
  • 5。 授予#我们9105805通过调节沉积功率提高太阳能电池效率
  • 6。 授予#我们9099664转让透明导电氧化物
  • 7。 授予#美国9096050晶圆级外延石墨烯转移
  • 8。 授予的纳米结构的高密度阵列的#美国9093290自我形成
  • 9。 授予#我们9070617使用的n + GE的低温金属诱导结晶的III-V MOSFET的降低S / d的接触电阻
  • 10。 授予#我们9059272自对准III-V族MOSFET制造具有原位III-V外延和原位金属外延和接触形成
  • 11。 授予#我们9059271自对准III-V族MOSFET制造具有原位III-V外延和原位金属外延和接触形成
  • 12。 授予的纳米结构的高密度阵列的#美国9059013自我形成
  • 13。 授予#美国9040428形成的金属纳米球和微球
  • 14。 授予#美国9040340温度分级光伏器件的带隙工程
  • 15。 授予#美国9035282形成大型单结晶石墨烯的
  • 16。 授予#我们8933456剥离层为硅层转移到基材上含锗 
  • 17。 授予#我们8927857硅:氢的光伏器件,例如太阳能电池,具有降低的光致降解和制造这种装置的方法  
  • 18。 授予#我们8916451薄膜晶片传送和结构用于电子设备的 
  • 19。 使用纳米球为纹理电极授予#我们8916409光伏器件 
  • 20。 由廉价的PECVD制造授予#我们8901695个高效率太阳能电池
  • 21。 授予#我们8889466保护绝缘层,多晶的薄膜太阳能电池的化学机械抛光
  • 22。 授予#我们8889456制造用于高效率太阳能电池均匀分布的自组装焊料点的形成的方法
  • 23。 授予#美国8878055高效纳米太阳能电池及其制造方法
  • 24。 授予使用用于形成该增强的自由空穴密度p掺杂材料和方法#我们8866003太阳能电池
  • 25。 薄膜硅串联电池的授予#我们8859321混合温度沉积  
  • 26。 授予#美国8846440锗探测器  
  • 27。 授予高效率太阳能电池#我们8841544均匀分布的自组装焊料点的形成  
  • 28。 授予#美国8841162锗探测器  
  • 29。 授予#我们8828504氢化薄膜的沉积  
  • 30。 授予#美国8822317自对准III-V MOSFET的扩散区和硅化物类合金接触
  • 31。 由廉价的PECVD制造授予#我们8735210个高效率太阳能电池
  • 32。 授予#美国8685858形成的金属纳米球和微球
  • 33。 授予高密度的无缺陷和排列的纳米结构的#美国8679947自我形成  
  • 34。 授予#美国8653360倾斜组成的带隙异质结太阳能电池 
  • 35。 授予#美国8642431 n型载体增强在半导体 
  • 36。 授予#我们在单个处理室制成8628999太阳能电池 
  • 37。 授予#我们8628996均匀分布的自组装锥形用于高效率太阳能电池的支柱 
  • 38。 授予高密度的无缺陷和排列的纳米结构的#美国8624361自我形成 
  • 39。 授予#我们8617938设备和方法,用于在半导体硼扩散 
  • 40。 授予#美国8614116锗探测器 
  • 41。 授予#我们8536043使用的n + GE的低温金属诱导结晶的III-V MOSFET的降低S / d的接触电阻 
  • 42。 授予#美国8476152 n型载体增强在半导体 
  • 43。 授予#美国8354694个CMOS与强调高机动性的通道晶体管 
  • 44。 授予#美国8343863 n型载体增强在半导体 
  • 45。 授予#美国8304272锗探测器 
  • 46。 授予#我们8298923剥离层为硅层转移到基材上含锗 
  • 47。 授予#美国8178430 n型载体增强在半导体 
  • 48。 授予#我们8039371减少的缺陷半导体绝缘体上异质结构 
  • 49。 使用掺硼的SiGe层授予#我们7935612层转移 
  • 50。 授予#我们7754008形成无位错的应变薄膜的方法